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Technische Details FDS6690AS ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V.
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FDS6690AS | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6690AS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6690AS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6690AS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6690AS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6690AS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6690AS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6690AS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6690AS Produktcode: 169096
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDS6690AS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6690AS | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V |
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FDS6690AS | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V |
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FDS6690AS | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V NCH POWER TRENCH SYNCFET |
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