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FDS6890A

FDS6890A onsemi

fds6890a-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.98 EUR
5000+0.9 EUR
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Technische Details FDS6890A onsemi

Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote FDS6890A nach Preis ab 0.73 EUR bis 4.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6890A FDS6890A ON Semiconductor fds6890ad.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS6890A FDS6890A ON Semiconductor fds6890ad.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+1.68 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
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FDS6890A FDS6890A ON Semiconductor fds6890ad.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.89 EUR
118+1.45 EUR
119+1.38 EUR
135+1.17 EUR
250+1.09 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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FDS6890A FDS6890A ONSEMI 2304019.pdf Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
141+1.54 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6890A FDS6890A onsemi / Fairchild fds6890a-d.pdf MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.13 EUR
2500+1.08 EUR
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FDS6890A FDS6890A onsemi fds6890a-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.36 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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1+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.04 EUR
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FDS6890A FDS6890A ONSEMI 2304019.pdf Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.15 EUR
95+2.46 EUR
141+1.54 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
395+1.68 EUR
500+1.49 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
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119+1.38 EUR
135+1.17 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
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euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 803 Stücke:
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Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
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auf Bestellung 1877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1.04 EUR
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Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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61+4.15 EUR
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141+1.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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