Technische Details FDS6982S FAICHILD
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Weitere Produktangebote FDS6982S nach Preis ab 1.68 EUR bis 1.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| FDS6982S | Hersteller : FAIRCHIL |
 06+ |
auf Bestellung 10258 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6982S | Hersteller : Fairchild |
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auf Bestellung 3908 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6982S | Hersteller : FAIRCHILD |
0252 |
auf Bestellung 1610 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6982S | Hersteller : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6982S | Hersteller : FAIRCHILD |
09+ |
auf Bestellung 2018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6982S | Hersteller : FAIRCHILD |
SO-8 |
auf Bestellung 41000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6982S | Hersteller : FSC |
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auf Bestellung 5205 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6982S | Hersteller : FSC |
04+ BGA |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDS6982S | Hersteller : FSC |
09+ SO-8 |
auf Bestellung 6205 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS6982S Produktcode: 25427
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : Fairchild |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 08.06.2015 Rds(on), Ohm: 0.016 Bem.: 2N JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6982S | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
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