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Technische Details FDS6990AS ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote FDS6990AS
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| FDS6990AS | ONS/FAI |
 SO-8 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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FDS6990AS | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
FDS6990AS | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8 |
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| FDS6990AS |
|
Hersteller: ONS/FAI
SO-8 Транзистори
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| FDS6990AS |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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| FDS6990AS |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8
MOSFETs 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8
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