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Technische Details FDS8447 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V.
Weitere Produktangebote FDS8447 nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.55 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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FDS8447 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8447 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8447 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8447 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8447 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8447 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8447 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V |
auf Bestellung 12452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8447 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 40V Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 26074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8447 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 32603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8447 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 32603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8447 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS8447 | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 12,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8447 TFDS8447 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDS8447 | Hersteller : ONSEMI |
FDS8447 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1783 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS8447 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
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