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Technische Details FDS86267P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDS86267P nach Preis ab 1.19 EUR bis 4.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FDS86267P | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86267P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86267P | onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet |
auf Bestellung 11977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS86267P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS86267P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V |
auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDS86267P | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4830 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDS86267P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.27 EUR |
| FDS86267P |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| FDS86267P |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet
MOSFETs PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet
auf Bestellung 11977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.36 EUR |
| 10+ | 2.43 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 2500+ | 1.19 EUR |
| FDS86267P |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 4.3 EUR |
| 79+ | 2.98 EUR |
| 104+ | 2.07 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| FDS86267P |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.44 EUR |
| 10+ | 2.84 EUR |
| 100+ | 1.93 EUR |
| FDS86267P |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)