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FDS8638

FDS8638 ON Semiconductor

fds8638-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS8638 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

Weitere Produktangebote FDS8638 nach Preis ab 1.06 EUR bis 6.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS8638 FDS8638 onsemi fds8638-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
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FDS8638 FDS8638 ON Semiconductor fds8638-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
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121+1.4 EUR
122+1.34 EUR
139+1.14 EUR
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FDS8638 FDS8638 ON Semiconductor fds8638-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
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500+1.75 EUR
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FDS8638 FDS8638 onsemi / Fairchild fds8638-d.pdf MOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench
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2+2.43 EUR
10+1.94 EUR
100+1.54 EUR
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500+1.26 EUR
1000+1.24 EUR
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FDS8638 FDS8638 onsemi fds8638-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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6+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
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FDS8638 FDS8638 ONSEMI 2304186.pdf Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1806 Stücke:
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50+4.69 EUR
100+3.37 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.46 EUR
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FDS8638
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
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FDS8638
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8638
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.21 EUR
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FDS8638
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8638
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+1.63 EUR
121+1.4 EUR
122+1.34 EUR
139+1.14 EUR
250+1.07 EUR
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FDS8638
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench
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10+1.94 EUR
100+1.54 EUR
250+1.48 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.23 EUR
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FDS8638
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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6+4 EUR
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100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDS8638
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.09 EUR
50+4.69 EUR
100+3.37 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.46 EUR
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