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FDS8672S

FDS8672S ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS8672S ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS8672S FDS8672S ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8672S FDS8672S ONSEMI FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds8672s-d.pdf Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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110+1.61 EUR
111+1.54 EUR
113+1.45 EUR
115+1.37 EUR
117+1.3 EUR
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FDS8672S FDS8672S Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
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500+2.24 EUR
1000+2.02 EUR
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FDS8672S FDS8672S ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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261+2.53 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.02 EUR
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FDS8672S FDS8672S onsemi fds8672s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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6+3.75 EUR
10+3.12 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8672S FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds8672s-d.pdf
FDS8672S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 8965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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176+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2445 Stücke:
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123+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2445 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
110+1.61 EUR
111+1.54 EUR
113+1.45 EUR
115+1.37 EUR
117+1.3 EUR
250+1.23 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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FDS8672S FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS8672S
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
auf Bestellung 361213 Stücke:
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307+1.92 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
261+2.53 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
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FDS8672S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
261+2.53 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
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FDS8672S
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.75 EUR
10+3.12 EUR
100+2.48 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.78 EUR
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