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FDS8840NZ

FDS8840NZ onsemi

fds8840nz-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
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Technische Details FDS8840NZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V.

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FDS8840NZ FDS8840NZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDS8840NZ_D-2313319.pdf MOSFETs PT4 Nch with Zener
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FDS8840NZ FDS8840NZ Hersteller : onsemi fds8840nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
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FDS8840NZ FDS8840NZ Hersteller : ON Semiconductor fds8840nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8840NZ Hersteller : ONSEMI fds8840nz-d.pdf FDS8840NZ SMD N channel transistors
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