FDS8842NZ ON Semiconductor
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Technische Details FDS8842NZ ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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FDS8842NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS8842NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
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FDS8842NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
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FDS8842NZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 40V NCh PowerTrench w/MOSFET |
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FDS8842NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R |
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| FDS8842NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 14.9 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| FDS8842NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FDS8842NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8842NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R |
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