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FDS8842NZ

FDS8842NZ onsemi

fds8842nz-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
7500+0.6 EUR
12500+0.57 EUR
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Technische Details FDS8842NZ onsemi

Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote FDS8842NZ nach Preis ab 0.65 EUR bis 3.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS8842NZ FDS8842NZ ON Semiconductor 3651904331436628fds8842nz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.02 EUR
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8842NZ FDS8842NZ ON Semiconductor 3651904331436628fds8842nz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.12 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8842NZ FDS8842NZ ON Semiconductor fds8842nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.52 EUR
137+1.25 EUR
165+1 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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FDS8842NZ FDS8842NZ onsemi / Fairchild fds8842nz-d.pdf MOSFETs 40V NCh PowerTrench w/MOSFET
auf Bestellung 4835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.4 EUR
100+1.07 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS8842NZ FDS8842NZ ONSEMI 2907404.pdf Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
111+2.09 EUR
115+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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FDS8842NZ FDS8842NZ ONSEMI 2907404.pdf Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS8842NZ FDS8842NZ onsemi fds8842nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH