FDS8842NZ onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.69 EUR |
| 5000+ | 0.64 EUR |
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Technische Details FDS8842NZ onsemi
Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDS8842NZ nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDS8842NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8842NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8842NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8842NZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V NCh PowerTrench w/MOSFET |
auf Bestellung 4835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8842NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7908 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8842NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8842NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8842NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.9 A, 0.0056 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8842NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8842NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8842NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDS8842NZ | Hersteller : ONSEMI |
FDS8842NZ SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |