Technische Details FDS8882 FAIRCHILD
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote FDS8882
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| FDS8882 | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 3643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDS8882 |
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench
MOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

