
FDS8882 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS8882 - MOSFET, N CH, 30V, 0.0132OHM, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details FDS8882 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDS8882 | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS8882 | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS8882 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
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auf Bestellung 3643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS8882 | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FDS8882 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V |
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