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FDS8896

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FDS8896 FDS8896 onsemi fds8896-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.57 EUR
1036+0.52 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 955
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.57 EUR
1036+0.52 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 955
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.57 EUR
1036+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 955
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FDS8896 FDS8896 onsemi / Fairchild FDS8896_D-2312850.pdf MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+1.11 EUR
100+0.76 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDS8896 FDS8896 onsemi fds8896-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
auf Bestellung 13730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.5 EUR
18+0.99 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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FDS8896 FDS8896 onsemi fds8896-d.pdf MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.94 EUR
10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.47 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
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FDS8896 FDS8896 ONSEMI fds8896-d.pdf Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS8896 FDS8896 ONSEMI fds8896-d.pdf Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS8896
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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FDS8896
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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FDS8896
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
955+0.57 EUR
1036+0.52 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 955
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FDS8896
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
955+0.57 EUR
1036+0.52 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 955
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FDS8896
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
955+0.57 EUR
1036+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 955
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FDS8896
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.26 EUR
10+1.11 EUR
100+0.76 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDS8896
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
auf Bestellung 13730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.5 EUR
18+0.99 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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FDS8896 fds8896-d.pdf
FDS8896
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.94 EUR
10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.47 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FDS8896
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDS8896
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896 fds8896-d.pdf
FDS8896
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896 fds8896-d.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
09+
auf Bestellung 25018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH