FDS8896


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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+0.46 EUR
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
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2500+0.54 EUR
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8896 FDS8896 onsemi fds8896-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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260+0.67 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.68 EUR
1036+0.62 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.68 EUR
1036+0.62 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.68 EUR
1036+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
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FDS8896 FDS8896 ONSEMI fds8896-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.58 EUR
68+1.25 EUR
79+1.09 EUR
111+0.77 EUR
127+0.67 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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FDS8896 FDS8896 onsemi fds8896-d.pdf MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 19477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.07 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS8896 FDS8896 onsemi fds8896-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
auf Bestellung 16038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.46 EUR
50+1.09 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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FDS8896 FDS8896 ONSEMI 2304814.pdf Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+2.65 EUR
143+1.63 EUR
215+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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FDS8896 FDS8896 ONSEMI 2304814.pdf Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
143+1.63 EUR
215+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS8896 FAIRCHILD fds8896-d.pdf 09+
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.52 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896 fds8896d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8896 fds8896-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896 fds8896d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
260+0.67 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
955+0.68 EUR
1036+0.62 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
955+0.68 EUR
1036+0.62 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896 fds8896d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
955+0.68 EUR
1036+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 955 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+1.58 EUR
68+1.25 EUR
79+1.09 EUR
111+0.77 EUR
127+0.67 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 19477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.31 EUR
10+1.07 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS8896 fds8896-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
auf Bestellung 16038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.34 EUR
15+1.46 EUR
50+1.09 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896 2304814.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+2.65 EUR
143+1.63 EUR
215+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896 2304814.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.65 EUR
143+1.63 EUR
215+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896 fds8896d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8896 fds8896-d.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
09+
auf Bestellung 25018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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