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FDS89161

FDS89161 onsemi

fds89161-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Technische Details FDS89161 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS89161 FDS89161 Fairchild info-tfds89161.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 176mOhm; 2,7A; 31W; -55°C ~ 150°C; FDS89161 TFDS89161
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDS89161 FDS89161 ON Semiconductor fds89161-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
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92+1.95 EUR
104+1.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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FDS89161 FDS89161 ON Semiconductor fds89161-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+2.08 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
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FDS89161 FDS89161 onsemi fds89161-d.pdf MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
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1+4.86 EUR
10+2.39 EUR
100+2.14 EUR
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FDS89161 FDS89161 onsemi fds89161-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 16991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
10+3.39 EUR
50+2.58 EUR
100+2.32 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDS89161 FDS89161 ONSEMI FDS89161.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Power dissipation: 31W
Gate charge: 4.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS89161
Hersteller: Fairchild
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 176mOhm; 2,7A; 31W; -55°C ~ 150°C; FDS89161 TFDS89161
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
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Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
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Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Power dissipation: 31W
Gate charge: 4.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
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