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FDS89161

FDS89161 onsemi

fds89161-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details FDS89161 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS89161 FDS89161 ONSEMI FDS89161.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.1nC
Technology: PowerTrench®
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.65 EUR
54+1.58 EUR
60+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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FDS89161 FDS89161 ON Semiconductor fds89161-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.93 EUR
104+1.68 EUR
105+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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FDS89161 FDS89161 ON Semiconductor fds89161-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.93 EUR
104+1.64 EUR
105+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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FDS89161 FDS89161 Fairchild info-tfds89161.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 176mOhm; 2,7A; 31W; -55°C ~ 150°C; FDS89161 TFDS89161
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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FDS89161 FDS89161 ON Semiconductor fds89161-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+2.06 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
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FDS89161 FDS89161 onsemi fds89161-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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10+2.2 EUR
11+1.96 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDS89161 FDS89161 onsemi fds89161-d.pdf MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.42 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 31W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.1nC
Technology: PowerTrench®
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Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+1.93 EUR
104+1.64 EUR
105+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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FDS89161
Hersteller: Fairchild
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 176mOhm; 2,7A; 31W; -55°C ~ 150°C; FDS89161 TFDS89161
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDS89161
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Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
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FDS89161
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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10+3.01 EUR
100+2.07 EUR
500+1.65 EUR
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