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FDS8958A

FDS8958A Fairchild


fds8958a-d.pdf 007eecd5bb2afdffa0a7ad36f63a8336.pdf
Produktcode: 34126
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 7
Rds(on), Ohm: 0.028
Ciss, pF/Qg, nC: 07.10.575
Bem.: N+P (5.0A)
JHGF: SMD
auf Bestellung 101 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.7 EUR
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FDS8958A FDS8958A Hersteller : UMW 007eecd5bb2afdffa0a7ad36f63a8336.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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FDS8958A FDS8958A Hersteller : UMW 007eecd5bb2afdffa0a7ad36f63a8336.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, 52mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.25 EUR
23+0.78 EUR
100+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958A FDS8958A Hersteller : ON Semiconductor fds8958ad.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
106+1.37 EUR
200+0.99 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958A FDS8958A Hersteller : ONSEMI FDS8958A.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
25+2.86 EUR
34+2.1 EUR
94+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958A FDS8958A Hersteller : ONSEMI FDS8958A.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958A FDS8958A Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003496026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8958A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS8958A FDS8958A Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003496026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8958A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDS8958A Hersteller : Fairchild fds8958a-d.pdf 007eecd5bb2afdffa0a7ad36f63a8336.pdf DUAN N&P -CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 70A/30V, -5A30V FDS8958A SOP08 TFDS8958a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+6.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958A FDS8958A Hersteller : ON Semiconductor fds8958a-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958A FDS8958A Hersteller : onsemi fds8958a-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958A FDS8958A Hersteller : onsemi fds8958a-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8958A FDS8958A Hersteller : onsemi / Fairchild FDS8958A_D-1808404.pdf MOSFETs SO8 COMP N-P-CH T/R
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IGW60T120
Produktcode: 114731
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igw60t120.pdf
IGW60T120
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200
Vce: 1,7 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 375 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/9,4
auf Bestellung 23 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3,3 Ohm 5% 0,125W Ausfuhr.
Produktcode: 2319
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3,3 Ohm 5% 0,125W Ausfuhr.
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,125W
Resistenz: 3,3 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,125W
auf Bestellung 3389 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0037 EUR
100+0.0015 EUR
1000+0.0012 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB9NK50ZT4
Produktcode: 2225
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STP9NK50Z.pdf
STB9NK50ZT4
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 500
Idd,A: 07.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.72
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32
JHGF: SMD
verfügbar: 138 Stück
12 Stück - stock Köln
126 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.7 EUR
10+0.57 EUR
100+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAW56
Produktcode: 2041
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BAW56.pdf
BAW56
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev.,V: 75
Iausricht.,А: 0.215
Beschreibung: doppelt, gemeinsame Anode, Schneller
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
auf Bestellung 3637 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.02 EUR
10+0.018 EUR
100+0.016 EUR
1000+0.012 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
22 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-22R-Hitano)
Produktcode: 1679
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CR-S_080911.pdf
22 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-22R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Resistenz: 22 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,64mm
Typ: Kohlen-, miniatur
Температура: -55...+125°C
verfügbar: 302 Stück
300 Stück - stock Köln
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 4000 Stück
4000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.018 EUR
100+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH