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FDS8984

FDS8984 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details FDS8984 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS8984 FDS8984 ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
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5000+0.39 EUR
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FDS8984 FDS8984 onsemi FDS8984-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.46 EUR
12500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8984 FDS8984 ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
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2500+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS8984 FDS8984 ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
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Mindestbestellmenge: 238 Stücke
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FDS8984 FDS8984 ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.95 EUR
236+0.71 EUR
238+0.69 EUR
297+0.52 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
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FDS8984 FDS8984 onsemi / Fairchild FDS8984-D.PDF MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 42386 Stücke:
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3+1.58 EUR
10+1.13 EUR
100+0.77 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDS8984 FDS8984 onsemi FDS8984-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 41836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
19+1.15 EUR
100+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FDS8984 FDS8984 ONSEMI FDS8984-D.PDF Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9499 Stücke:
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117+2.15 EUR
162+1.44 EUR
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FDS8984 FDS8984 ONSEMI FDS8984-D.PDF Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FDS8984 FDS8984 ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8984
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
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FDS8984
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
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auf Bestellung 10000 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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FDS8984
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 42386 Stücke:
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10+1.13 EUR
100+0.77 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.48 EUR
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FDS8984
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 41836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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13+1.63 EUR
19+1.15 EUR
100+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FDS8984
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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AnzahlPrivatkunde
117+2.15 EUR
162+1.44 EUR
238+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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FDS8984 FDS8984-D.PDF
FDS8984
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9499 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
117+2.15 EUR
162+1.44 EUR
238+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8984 fds8984-d.pdf
FDS8984
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
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