FDS9926A Fairchild
Produktcode: 34127
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/7
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS9926A | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS9926A | ON-Semiconductor |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9926A TFDS9926aAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS9926A | onsemi |
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 2.5V |
auf Bestellung 8077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS9926A | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 5169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDS9926A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS9926A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS9926A | ONS/FAI |
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOIC-8 Транзистори |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDS9926A | Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 30 мОм @ 6,5 А, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 13 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDS9926A |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.55 EUR |
| 5000+ | 0.5 EUR |
| FDS9926A |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9926A TFDS9926a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9926A TFDS9926a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.19 EUR |
| FDS9926A |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 2.5V
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 2.5V
auf Bestellung 8077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2 EUR |
| 10+ | 1.26 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| FDS9926A |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.14 EUR |
| 16+ | 1.34 EUR |
| 50+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| FDS9926A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 2.38 EUR |
| 159+ | 1.46 EUR |
| 205+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| FDS9926A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 2.38 EUR |
| 159+ | 1.46 EUR |
| 205+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| FDS9926A |
![]() |
Hersteller: ONS/FAI
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOIC-8 Транзистори
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.99 EUR |
| FDS9926A |
![]() |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 30 мОм @ 6,5 А, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 30 мОм @ 6,5 А, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 13 Stücke:
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| LED 0603, rot, KT-SMD0603-R Kento Produktcode: 86390
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Kento
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD
Farbe: Rot
Bauform, Größe: 0603
Linse: Farblos
Durchlassspannung: 1,9...2 V
Lichtstärke: 90...100 mcd
Abstrahlwinkel: 120°
Wellenlänge: 620...625 нм
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD
Farbe: Rot
Bauform, Größe: 0603
Linse: Farblos
Durchlassspannung: 1,9...2 V
Lichtstärke: 90...100 mcd
Abstrahlwinkel: 120°
Wellenlänge: 620...625 нм
verfügbar: 120 St.
- 120 St. - stock Köln
erwartet: 40000 St.
- 40000 St. - erwartet 29.09.2026
auf Bestellung: 38957 St.
- 38957 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.11 EUR |
| 10+ | 0.071 EUR |
| 100+ | 0.031 EUR |
| 1000+ | 0.024 EUR |
| 10000+ | 0.014 EUR |
| LED 0603, grün, KT-SMD0603-G Kento Produktcode: 86391
5
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Kento
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD
Farbe: Grün
Bauform, Größe: 0603
Linse: Farblos
Durchlassspannung: 2,7...3,2 V
Lichtstärke: 140...249 mcd
Abstrahlwinkel: 120°
Wellenlänge: 531 нм
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD
Farbe: Grün
Bauform, Größe: 0603
Linse: Farblos
Durchlassspannung: 2,7...3,2 V
Lichtstärke: 140...249 mcd
Abstrahlwinkel: 120°
Wellenlänge: 531 нм
erwartet: 52000 St.
- 20000 St. - erwartet 29.09.2026
- 32000 St. - erwartet
auf Bestellung: 3 St.
- 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.095 EUR |
| 10+ | 0.067 EUR |
| 100+ | 0.038 EUR |
| 1000+ | 0.033 EUR |
| BDW94C (TO-220, ST) Produktcode: 1600
1
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|
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21, max: 20000
Bemerkung: Darlington
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21, max: 20000
Bemerkung: Darlington
auf Bestellung: 211 St.
- 211 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.3 EUR |
| 10+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 470pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N471J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 3951
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 470 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Toleranz: ±5% J
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 470 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Toleranz: ±5% J
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
erwartet: 8000 St.
- 8000 St. - erwartet 01.11.2026
auf Bestellung: 1500 St.
- 1500 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.024 EUR |
| 100+ | 0.014 EUR |
| 1000+ | 0.012 EUR |
| 10000+ | 0.0046 EUR |
| 2SB882 Produktcode: 15197
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Sanyo
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 20 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 70 V
Strom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21, max: 5000
Bemerkung: Darlington
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 20 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 70 V
Strom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21, max: 5000
Bemerkung: Darlington
auf Bestellung: 32 St.
- 32 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.37 EUR |
| 10+ | 1.24 EUR |









