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Technische Details FDS9945 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDS9945 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.39 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDS9945 | Hersteller : ON Semiconductor |
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fds9945 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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FDS9945 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDS9945 | Hersteller : ON Semiconductor |
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fds9945 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2343 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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fds9945 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 |
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fds9945 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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FDS9945 Produktcode: 24988
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Hersteller : FS |
![]() Gehäuse: SO-8 Idd,A: 03.05.2015 Rds(on), Ohm: 01.01.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.420 Bem.: 2N JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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fds9945 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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FDS9945 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS9945 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS9945 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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fds9945 | Hersteller : Fairchild |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS9945 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDS9945 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDS9945 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDS9945 | Hersteller : ON Semiconductor |
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