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FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ ON Semiconductor

fdt1600n10alzd.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Technische Details FDT1600N10ALZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10.42W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 625 Stücke:
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186+0.95 EUR
244+0.71 EUR
258+0.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.09 EUR
178+0.98 EUR
234+0.73 EUR
250+0.67 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
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FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.42 EUR
84+1.02 EUR
121+0.7 EUR
141+0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 740 Stücke:
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116+1.52 EUR
161+1.06 EUR
178+0.92 EUR
234+0.67 EUR
250+0.61 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ onsemi / Fairchild FDT1600N10ALZ-D.PDF MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
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2+1.78 EUR
10+1.23 EUR
100+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ONSEMI 2552630.pdf Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 25002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
137+1.7 EUR
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FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ONSEMI 2552630.pdf Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ onsemi fdt1600n10alz-d.pdf MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
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FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ onsemi fdt1600n10alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDT1600N10ALZ ONN fdt1600n10alz-d.pdf
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FDT1600N10ALZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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FDT1600N10ALZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 625 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
186+0.95 EUR
244+0.71 EUR
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FDT1600N10ALZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
161+1.09 EUR
178+0.98 EUR
234+0.73 EUR
250+0.67 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
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FDT1600N10ALZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
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121+0.7 EUR
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FDT1600N10ALZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+1.52 EUR
161+1.06 EUR
178+0.92 EUR
234+0.67 EUR
250+0.61 EUR
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FDT1600N10ALZ
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
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10+1.23 EUR
100+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.52 EUR
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FDT1600N10ALZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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AnzahlPrivatkunde
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137+1.7 EUR
216+0.99 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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FDT1600N10ALZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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AnzahlPrivatkunde
114+2.2 EUR
137+1.7 EUR
216+0.99 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDT1600N10ALZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
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Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
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FDT1600N10ALZ fdt1600n10alz-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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