FDU6N25 ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 0.9 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 0.9 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
rohsCompliant: Y-EX
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
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Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4742 Stücke:
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Technische Details FDU6N25 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 0.9 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.4, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FDU6N25
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FDU6N25 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Channel UniFET |
auf Bestellung 3547 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDU6N25 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
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