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FDV304P

FDV304P ON Semiconductor

fdv304p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details FDV304P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 460mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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FDV304P FDV304P Hersteller : ON Semiconductor fdv304p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV304P FDV304P Hersteller : ON Semiconductor fdv304p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV304P FDV304P Hersteller : onsemi fdv304p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
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572+0.25 EUR
599+0.23 EUR
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967+0.13 EUR
1095+0.11 EUR
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FDV304P FDV304P Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E60BDD3B855EA&compId=FDV304P.pdf?ci_sign=85383aba5fa191ede2cb6a037abf98147071fdc8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
162+0.44 EUR
266+0.27 EUR
358+0.20 EUR
404+0.18 EUR
550+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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FDV304P FDV304P Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E60BDD3B855EA&compId=FDV304P.pdf?ci_sign=85383aba5fa191ede2cb6a037abf98147071fdc8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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FDV304P
Produktcode: 150596
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FDV304P FDV304P Hersteller : onsemi / Fairchild fdv304p-d.pdf MOSFETs P-Ch Digital
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FDV304P FDV304P Hersteller : onsemi fdv304p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
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46+0.39 EUR
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500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
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FDV304P FDV304P Hersteller : ON Semiconductor fdv304p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV304P FDV304P Hersteller : ON Semiconductor fdv304p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
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FDV304P FDV304P Hersteller : ONSEMI 2298387.pdf Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDV304P FDV304P Hersteller : ONSEMI 2298387.pdf Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 157057 Stücke:
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FDV304P FDV304P Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014832097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
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FDV304P FDV304P Hersteller : ON Semiconductor fdv304p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1887000 Stücke:
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FDV304P Hersteller : UMW fdv304p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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FDV304P Hersteller : ON-Semicoductor fdv304p-d.pdf P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304P Hersteller : ON-Semicoductor fdv304p-d.pdf P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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FDV304P Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor fdv304p-d.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 460 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 63 @ 10 В; Qg, нКл = 1,5 @ 4,5 В; Rds = 1,1 Ом @ 500 мA, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV304P FDV304P Hersteller : ON Semiconductor fdv304p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
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