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FDY3000NZ

FDY3000NZ ON Semiconductor

3671669315802413fdy3000nz-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin SOT-563F T/R
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Technische Details FDY3000NZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDY3000NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 625mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote FDY3000NZ nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDY3000NZ FDY3000NZ ON Semiconductor 3671669315802413fdy3000nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin SOT-563F T/R
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415+0.4 EUR
419+0.38 EUR
523+0.3 EUR
539+0.27 EUR
625+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
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FDY3000NZ FDY3000NZ onsemi fdy3000nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F
Supplier Device Package: SOT-563F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1499 Stücke:
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28+0.75 EUR
32+0.65 EUR
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500+0.36 EUR
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FDY3000NZ FDY3000NZ ONSEMI fdy3000nz-d.pdf Description: ONSEMI - FDY3000NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+1.07 EUR
279+0.83 EUR
419+0.51 EUR
532+0.4 EUR
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FDY3000NZ FDY3000NZ onsemi / Fairchild FDY3000NZ_D-2313326.pdf MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET
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FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
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Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
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MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET
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