FDZ1416NZ onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FDZ1416NZ onsemi
Description: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP, tariffCode: 85412900, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FDZ1416NZ | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4) Part Status: Obsolete |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDZ1416NZ | onsemi / Fairchild |
MOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P |
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FDZ1416NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24 euEccn: NLR Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDZ1416NZ |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4)
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4)
Part Status: Obsolete
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| FDZ1416NZ |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P
MOSFET COMMONDRAIN N-CH. 2.5 V P
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| FDZ1416NZ |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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