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FEP16BT-E3/45

FEP16BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fep16jt.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 100V 16A TO220-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details FEP16BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ARRAY GP 100V 16A TO220-3, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-220-3, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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10+2.07 EUR
100+1.65 EUR
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