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FEP30JP-E3/45

FEP30JP-E3/45 Vishay

fep30-datasheet.pdf
Produktcode: 113352
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-247AD
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Trr, ns: 35 ns
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FEP30JP-E3/45 FEP30JP-E3/45 Hersteller : Vishay fep30xp-e3.pdf Diode Switching 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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FEP30JP-E3/45 FEP30JP-E3/45 Hersteller : Vishay fep30xp-e3.pdf Diode Switching 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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FEP30JP-E3/45 FEP30JP-E3/45 Hersteller : Vishay fep30xp-e3.pdf Diode Switching 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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FEP30JP-E3/45 FEP30JP-E3/45 Hersteller : Vishay fep30xp-e3.pdf Diode Switching 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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FEP30JP-E3/45 FEP30JP-E3/45 Hersteller : Vishay General Semiconductor doc?98732 Rectifiers 30 Amp 600 Volt
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FEP30JP-E3/45 FEP30JP-E3/45 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division doc?98732 Description: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247AD (TO-3P)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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120+2.59 EUR
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FEP30JP-E3/45 FEP30JP-E3/45 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010620006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - FEP30JP-E3/45 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 30 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 50 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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FEP30JP-E3\45 FEP30JP-E3\45 Hersteller : Vishay Semiconductors Rectifiers 30A,600V,50NS,DUAL UF RECT
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BR5010-4
Produktcode: 98238
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BR5010-4
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Hersteller: Guerte
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: 32x32x9,2
Urew: 1000V
I dir: 50A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 450 A
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STW20NK50Z
Produktcode: 2710
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en.DM00052344.pdf
STW20NK50Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
JHGF: THT
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STP14NK50ZFP
Produktcode: 2275
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description STP14NK50ZFP.pdf
STP14NK50ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220isolated
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 105 St.
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 7301 St.
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7236 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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BDW94C
Produktcode: 1600
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BDW93C,94B,94C.pdf
BDW94C
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 12
h21,max: 20000
Bem.: DARLINGT
auf Bestellung 59 St.:
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