FES10J onsemi
Hersteller: onsemiDescription: DIODE GEN PURP 600V 10A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 5000+ | 0.86 EUR |
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Technische Details FES10J onsemi
Description: ONSEMI - FES10J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.8 V, 40 ns, 150 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-277, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.8V, Sperrverzögerungszeit: 40ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FES10J nach Preis ab 0.79 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FES10J | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Rectifiers 10A 600V Ultra Fast |
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FES10J | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO277-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
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FES10J | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FES10J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.8 V, 40 ns, 150 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.8V Sperrverzögerungszeit: 40ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FES10J | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 10A 40ns 3-Pin(2+Tab) TO-277 T/R |
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