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FES8GT-E3/45

FES8GT-E3/45 Vishay

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Hersteller: Vishay
Rectifier Diode Switching 400V 8A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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Technische Details FES8GT-E3/45 Vishay

Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 8A; Ifsm: 125A; TO220AC; tube; Ir: 500uA, Type of diode: rectifying, Case: TO220AC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 0.4kV, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Capacitance: 85pF, Max. forward voltage: 1.3V, Leakage current: 0.5mA, Max. forward impulse current: 125A, Kind of package: tube, Reverse recovery time: 50ns, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Heatsink thickness: 1.14...1.39mm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FES8GT-E3/45 FES8GT-E3/45 Vishay fes8jt.pdf Rectifier Diode Switching 400V 8A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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FES8GT-E3/45 FES8GT-E3/45 Vishay General Semiconductor FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf Rectifiers 8.0 Amp 400 Volt
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FES8GT-E3/45 FES8GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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FES8GT-E3/45 FES8GT-E3/45 VISHAY FES(F,B)8AT_thru_8JT.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 8A; Ifsm: 125A; TO220AC; tube; Ir: 500uA
Type of diode: rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 85pF
Max. forward voltage: 1.3V
Leakage current: 0.5mA
Max. forward impulse current: 125A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 50ns
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
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Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
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Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
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Type of diode: rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 85pF
Max. forward voltage: 1.3V
Leakage current: 0.5mA
Max. forward impulse current: 125A
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