FESB16JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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Technische Details FESB16JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 250A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: FESB1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FESB16JT-E3/81 nach Preis ab 1.81 EUR bis 4.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FESB16JT-E3/81 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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FESB16JT-E3/81 | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns |
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FESB16JT-E3/81 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FESB1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FESB16JT-E3/81 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
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| FESB16JT-E3/81 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 16A; 50ns; D2PAK; Ufmax: 1.5V; Ir: 500uA Mounting: SMD Case: D2PAK Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 145pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 250A Leakage current: 0.5mA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FESB16JT-E3/81 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 16A; 50ns; D2PAK; Ufmax: 1.5V; Ir: 500uA Mounting: SMD Case: D2PAK Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 145pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 250A Leakage current: 0.5mA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying |
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