FESB16JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
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Technische Details FESB16JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 250A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FESB16JT-E3/81 nach Preis ab 1.13 EUR bis 3.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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FESB16JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
auf Bestellung 1241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FESB16JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns |
auf Bestellung 3301 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FESB16JT-E3/81 | VISHAY |
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FESB16JT-E3/81 | VISHAY |
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FESB16JT-E3/81 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.78 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 1.84 EUR |
| FESB16JT-E3/81 |
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Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns
Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns
auf Bestellung 3301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.94 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 800+ | 1.27 EUR |
| 2400+ | 1.17 EUR |
| 4800+ | 1.13 EUR |
| FESB16JT-E3/81 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A
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Durchlassstoßstrom: 250A
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FESB16JT-E3/81 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A
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Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 250A
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Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 250A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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