Technische Details FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: CoolSic, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FF11MR12W1M1B11BOMA1 nach Preis ab 303.07 EUR bis 385.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: - Produktpalette: CoolSic productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 370.34 EUR |
| 5+ | 323.51 EUR |
| FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSic
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSic
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 385.25 EUR |
| 5+ | 335.03 EUR |
| 10+ | 303.07 EUR |