FF1200R12IE5BPSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Technische Details FF1200R12IE5BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 1.2kA, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote FF1200R12IE5BPSA1 nach Preis ab 1290.7 EUR bis 1290.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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FF1200R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 2400A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.5 nF @ 25 V |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF1200R12IE5BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 2400A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.5 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 2400A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65.5 nF @ 25 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 1290.7 EUR |