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FF1200R17IP5PBPSA1

FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF1200R17IP5P-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017457d84aae414b Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
auf Bestellung 570 Stücke:

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Technische Details FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 1.2kA, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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FF1200R17IP5PBPSA1 FF1200R17IP5PBPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FF1200R17IP5P-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017457d84aae414b Description: IGBT
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
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FF1200R17IP5PBPSA1 FF1200R17IP5PBPSA1 Hersteller : INFINEON 3159554.pdf Description: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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FF1200R17IP5PBPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_FF1200R17IP5P_DataSheet_v03_00_EN-3162196.pdf IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
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FF1200R17IP5PBPSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ff1200r17ip5p-datasheet-v03_00-en.pdf Dual IGBT Module
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25+1023.99 EUR
100+955.57 EUR
500+889.48 EUR
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FF1200R17IP5PBPSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ff1200r17ip5p-datasheet-v03_00-en.pdf Dual IGBT Module
auf Bestellung 12 Stücke:
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FF1200R17IP5PBPSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ff1200r17ip5p-datasheet-v03_00-en.pdf Dual IGBT Module
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