FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
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Technische Details FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: PrimePACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 1.2kA, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FF1200R17IP5PBPSA1 nach Preis ab 889.48 EUR bis 1094.76 EUR
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FF1200R17IP5PBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V |
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FF1200R17IP5PBPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module tariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| FF1200R17IP5PBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module |
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| FF1200R17IP5PBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Dual IGBT Module |
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| FF1200R17IP5PBPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Dual IGBT Module |
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Dual IGBT Module |
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SP001663854 |
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