FF1200R17KP4B2NOSA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 1200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-PRIME2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 98 nF @ 25 V
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Technische Details FF1200R17KP4B2NOSA2 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 1200A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: AG-PRIME2, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 1400 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 98 nF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| FF1200R17KP4B2NOSA2 | Infineon |
FF1200R17KP4B2NOSA2 FF1200R17KP4_B2 IGBT Modules IGBT 1700V 1200A Силові IGBT-модулі |
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FF1200R17KP4B2NOSA2 | Infineon Technologies |
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| FF1200R17KP4B2NOSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; Ic: 1.7kA; 1.4kW; Field Stop,Trench; screw Pulsed collector current: 2.4kA Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.7kA Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 1.4kW Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
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FF1200R17KP4B2NOSA2 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.7KA 6250W 7-Pin IHM130-1 Tray |
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FF1200R17KP4B2NOSA2 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.7KA 6250W 7-Pin IHM130-1 Tray |
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| FF1200R17KP4B2NOSA2 |
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Hersteller: Infineon
FF1200R17KP4B2NOSA2 FF1200R17KP4_B2 IGBT Modules IGBT 1700V 1200A Силові IGBT-модулі
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| FF1200R17KP4B2NOSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
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| FF1200R17KP4B2NOSA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 1.7kA; 1.4kW; Field Stop,Trench; screw
Pulsed collector current: 2.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.7kA
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 1.4kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 1.7kA; 1.4kW; Field Stop,Trench; screw
Pulsed collector current: 2.4kA
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Power dissipation: 1.4kW
Technology: Field Stop; Trench
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| FF1200R17KP4B2NOSA2 |
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Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.7KA 6250W 7-Pin IHM130-1 Tray
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| FF1200R17KP4B2NOSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.7KA 6250W 7-Pin IHM130-1 Tray
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