FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1 kA, 2.3 kV, 0.00159 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00159ohm
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Technische Details FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1 kA, 2.3 kV, 0.00159 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: 3A228.c, Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1kA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A228.c, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00159ohm.
Weitere Produktangebote FF1300UXTR23T2M1PBPSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 | Infineon Technologies |
Description: FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 20mW Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1000A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143000pF @ 1.5kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.59mOhm @ 1.5kA, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.98µC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 675mA Supplier Device Package: AG-XHP2K17 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: FF1300UXTR23T2M1PBPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1000A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143000pF @ 1.5kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.59mOhm @ 1.5kA, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.98µC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 675mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K17
Description: FF1300UXTR23T2M1PBPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1000A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143000pF @ 1.5kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.59mOhm @ 1.5kA, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.98µC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 675mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K17
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| FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET Modules XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
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