FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF150R12KE3GB2HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 225A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 780W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: C Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 225A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FF150R12KE3GB2HOSA1 nach Preis ab 171.42 EUR bis 201.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin |
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| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin |
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| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin |
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| FF150R12KE3GB2HOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin
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| 1+ | 195.2 EUR |
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| FF150R12KE3GB2HOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
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| 1+ | 195.2 EUR |
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| FF150R12KE3GB2HOSA1 |
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| 25+ | 201.5 EUR |
| 100+ | 188.69 EUR |