FF150R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 132.27 EUR |
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Technische Details FF150R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF150R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2, Dauer-Kollektorstrom: 225, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2, Verlustleistung Pd: 1.25, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 225, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FF150R12KS4HOSA1 nach Preis ab 133.54 EUR bis 155.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FF150R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF150R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF150R12KS4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF150R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2 Dauer-Kollektorstrom: 225 usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2 Verlustleistung Pd: 1.25 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 225 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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FF150R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 225A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
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| FF150R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules Y |
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