FF150R12KT3GHOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray
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Technische Details FF150R12KT3GHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 225 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 780 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF150R12KT3GHOSA1 nach Preis ab 192.66 EUR bis 238.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FF150R12KT3GHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF150R12KT3GHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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