FF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 790W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 790W, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FF150R12RT4HOSA1 nach Preis ab 120.84 EUR bis 158.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FF150R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
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FF150R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
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FF150R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF150R12RT4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 790W euEccn: NLR Verlustleistung: 790W Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF150R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF150R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
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FF150R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF150R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 150A 790W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 790 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA |
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| FF150R12RT4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM |
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