FF1600R12IP7BOSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FF1600R12IP7BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 1.6kA, Produktpalette: PrimePACK 2 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF1600R12IP7BOSA1 nach Preis ab 485.18 EUR bis 1015.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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FF1600R12IP7BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 12-Pin Tray |
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FF1600R12IP7BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 1.6KA MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.79V @ 15V, 1.6kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 217000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF1600R12IP7BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 12-Pin Tray |
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FF1600R12IP7BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 12-Pin Tray |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF1600R12IP7BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.6kA Produktpalette: PrimePACK 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF1600R12IP7BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 1600 A dual IGBT module |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF1600R12IP7BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Dual IGBT Module |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FF1600R12IP7BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 12-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |