Technische Details FF2000UXTR23T2M1BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 710 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: 3A228.c, Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 710A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A228.c, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm.
Weitere Produktangebote FF2000UXTR23T2M1BPSA1 nach Preis ab 5532.46 EUR bis 5855.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | Infineon Technologies Americas Corp. |
 Description: FET 2N-CH 2.3KV 710A AG-XHP2K23Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95000pF @ 1500V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1000A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2650nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 450mA Supplier Device Package: AG-XHP2K23 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 710 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: 3A228.c Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 710A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A228.c Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF2000UXTR23T2M1BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies Americas Corp.
Description: FET 2N-CH 2.3KV 710A AG-XHP2K23
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95000pF @ 1500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1000A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2650nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 450mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K23
Description: FET 2N-CH 2.3KV 710A AG-XHP2K23
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 710A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95000pF @ 1500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1000A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2650nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 450mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K23
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| 1+ | 5532.46 EUR |
| FF2000UXTR23T2M1BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 710 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 710A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 710 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 710A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 1+ | 5855.16 EUR |