FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 Infineon Technologies Americas Corp.
Hersteller: Infineon Technologies Americas Corp.
Description: FET 2N-CH 2.3KV 675A AG-XHP2K23
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 675A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95000pF @ 1500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 1000A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2650nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 450mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K23
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4447.07 EUR |
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Technische Details FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 Infineon Technologies Americas Corp.
Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 675 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: 3A228.c, Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 675A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A228.c, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm.
Weitere Produktangebote FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 nach Preis ab 5050.31 EUR bis 5050.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC / |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET Modules XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC /
MOSFET Modules XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC /
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