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FF200R06KE3HOSA1

FF200R06KE3HOSA1 Infineon Technologies

infineonff200r06ke3dsv0300encn.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray
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Technische Details FF200R06KE3HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 600V 260A 680W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 260 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 680 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FF200R06KE3HOSA1 FF200R06KE3HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF200R06KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b434a07960d4 Description: IGBT MOD 600V 260A 680W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 260 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
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FF200R06KE3HOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 600V 260A 680W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 260 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
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