FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: AG-62MM-1, Electrical mounting: screw, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Topology: IGBT half-bridge, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 200A, Pulsed collector current: 400A, Power dissipation: 1.1kW.
Weitere Produktangebote FF200R12KT4HOSA1 nach Preis ab 139.66 EUR bis 186.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF200R12KT4 | Infineon Technologies |
IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||
| FF200R12KT4 | INFINEON |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FF200R12KT4 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A
IGBT Modules N-CH 1.2KV 320A
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 186.34 EUR |
| 10+ | 155.7 EUR |
| 100+ | 139.66 EUR |
| FF200R12KT4 |
Hersteller: INFINEON
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)