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FF200R12W2T7EB11BPSA1

FF200R12W2T7EB11BPSA1 Infineon Technologies


infineonff200r12w2t7eb11datasheetv0100en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
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Technische Details FF200R12W2T7EB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF200R12W2T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 165 A, 1.5 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 165A, Produktpalette: EasyDUAL Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 165A
Produktpalette: EasyDUAL Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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