FF200R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF200R33KF2CNOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 330A 2200W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 330 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V, Power - Max: 2200 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF200R33KF2CNOSA1 nach Preis ab 2118.94 EUR bis 2535.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray |
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FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray |
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FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 3300V 330A 2200W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 330 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 2200 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V |
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| FF200R33KF2CNOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
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| FF200R33KF2CNOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
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| FF200R33KF2CNOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 330A 2200W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 2200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 3300V 330A 2200W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 2200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25 nF @ 25 V
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