FF225R12ME3BOSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 267.38 EUR |
| 25+ | 255.65 EUR |
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Technische Details FF225R12ME3BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W MOD, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 325 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1150 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF225R12ME3BOSA1 nach Preis ab 263.8 EUR bis 295.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W |
auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 325 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1150 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V |
auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF225R12ME3BOSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 291.03 EUR |
| 25+ | 278.25 EUR |
| 100+ | 263.8 EUR |
| FF225R12ME3BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 3+ | 291.03 EUR |
| 25+ | 278.25 EUR |
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| FF225R12ME3BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
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| FF225R12ME3BOSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
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