
FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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2+ | 107.58 EUR |
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Technische Details FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1050W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1050 W, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF225R12ME4BOSA1 nach Preis ab 111.56 EUR bis 161.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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FF225R12ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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FF225R12ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF225R12ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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FF225R12ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF225R12ME4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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