FF23MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF23MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2 IND 1200V 50A EASY1BM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA, Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2.
Weitere Produktangebote FF23MR12W1M1PB11BPSA1 nach Preis ab 133.49 EUR bis 219.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
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| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 133.49 EUR |
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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|---|---|
| 25+ | 180.62 EUR |
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 219.44 EUR |
| 10+ | 205.2 EUR |