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FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
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Technische Details FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA, Supplier Device Package: AG-62MM, Part Status: Obsolete.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FF2MR12KM1HOSA1 FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies infineon-ff2mr12km1-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
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FF2MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET 2N-CH 1200V 500A AG-62MM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Obsolete
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