FF300R07KE4HOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF300R07KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF300R07KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 365 A, 1.55 V, 940 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 365A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 940W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 940W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 365A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF300R07KE4HOSA1 nach Preis ab 183.87 EUR bis 183.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FF300R07KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MODULE 650V 940WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 940 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V |
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FF300R07KE4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R07KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 365 A, 1.55 V, 940 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 365A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 940W euEccn: NLR Verlustleistung: 940W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 365A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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FF300R07KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 365A 940mW 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF300R07KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 365A 940W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF300R07KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 365A 940W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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