FF300R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF300R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF300R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, Dauer-Kollektorstrom: 370A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.95kW, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote FF300R12KS4HOSA1 nach Preis ab 252.08 EUR bis 335.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FF300R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF300R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF300R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 370A 1950W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 370 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1950 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V |
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FF300R12KS4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V Dauer-Kollektorstrom: 370A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 1.95kW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C |
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FF300R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950000mW 7-Pin 62MM-1 Tray |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF300R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray |
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| FF300R12KS4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
Produkt ist nicht verfügbar |