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FF300R12KT3HOSA1 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 480A 1450W 7-Pin 62MM-1 Tray
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Technische Details FF300R12KT3HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF300R12KT3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 480 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7, Dauer-Kollektorstrom: 480, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 1.45, Verlustleistung: 1.45, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Zweifach, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 480, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FF300R12KT3HOSA1 FF300R12KT3HOSA1 Infineon Technologies infineonff300r12kt3edsv0200encn.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 480A 1450W 7-Pin 62MM-1 Tray
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FF300R12KT3HOSA1 FF300R12KT3HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF300R12KT3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4345e3e6019 Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
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FF300R12KT3HOSA1 FF300R12KT3HOSA1 INFINEON INFNS28377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF300R12KT3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 480 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 480
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.45
Verlustleistung: 1.45
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 480
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
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IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
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Verlustleistung Pd: 1.45
Verlustleistung: 1.45
Bauform - Transistor: Module
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Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 480
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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